casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CURA107-G
codice articolo del costruttore | CURA107-G |
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Numero di parte futuro | FT-CURA107-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CURA107-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CURA107-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CURA107-G-FT |
CDBFR0130
Comchip Technology
CDBFR03100-HF
Comchip Technology
CDSF355B
Comchip Technology
CDSFR355B
Comchip Technology
CDBFR00340
Comchip Technology
CDBFR0140R
Comchip Technology
CDBFR0145
Comchip Technology
CDBFR0230
Comchip Technology
CDBFR0230-HF
Comchip Technology
CDBFR0230L
Comchip Technology
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel