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codice articolo del costruttore | CTX250-1-52-R |
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Numero di parte futuro | FT-CTX250-1-52-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CTX |
CTX250-1-52-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 250µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.9A |
Corrente - Saturazione | 2.2A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 221 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 75°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.823" Dia x 0.512" W (20.90mm x 13.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTX250-1-52-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTX250-1-52-R-FT |
DR127-3R3-R
Eaton - Electronics Division
DR127-331-R
Eaton - Electronics Division
DR127-221-R
Eaton - Electronics Division
DR127-220-R
Eaton - Electronics Division
DR127-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DR127-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DR127-151-R
Eaton - Electronics Division
DR127-150-R
Eaton - Electronics Division
DR127-102-R
Eaton - Electronics Division
DR127-102
Eaton - Electronics Division
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel