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codice articolo del costruttore | CTX200-2P-R |
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Numero di parte futuro | FT-CTX200-2P-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Econo-Pac™ |
CTX200-2P-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di bobine | 2 |
Induttanza - Connesso in parallelo | 201.59µH |
Induttanza - Serie collegata | 806.34µH |
Tolleranza | ±20% |
Corrente nominale - Parallela | 460mA |
Corrente nominale - Serie | 230mA |
Saturazione corrente - Parallela | - |
Saturazione corrente - Serie | - |
Resistenza DC (DCR) - Parallela | 951 mOhm Max |
DC Resistance (DCR) - Serie | 3.804 Ohm Max |
Schermatura | Unshielded |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Dimensione / Dimensione | 0.450" L x 0.450" W (11.43mm x 11.43mm) |
Altezza | 0.235" (5.97mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTX200-2P-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTX200-2P-R-FT |
P0403NL
Pulse Electronics Power
P0395NLT
Pulse Electronics Power
P0396NLT
Pulse Electronics Power
P0397NLT
Pulse Electronics Power
P0400NL
Pulse Electronics Power
P0400NLT
Pulse Electronics Power
P0401NLT
Pulse Electronics Power
P0402NLT
Pulse Electronics Power
P0403NLT
Pulse Electronics Power
P0398NLT
Pulse Electronics Power
AGLN125V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
A3P1000-FG484I
Microsemi Corporation
AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40C2LN
Intel
EP4CE15E22C7
Intel
10AX115N3F45E2LG
Intel
10AX066N4F40I3SGES
Intel
EP1C20F324C7
Intel