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codice articolo del costruttore | CTX1000-1-52M-R |
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Numero di parte futuro | FT-CTX1000-1-52M-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CTX |
CTX1000-1-52M-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1mH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.5A |
Corrente - Saturazione | 2.1A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 638 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 75°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.173" Dia (29.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.228" (31.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTX1000-1-52M-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTX1000-1-52M-R-FT |
2474R-13J
API Delevan Inc.
2474R-13K
API Delevan Inc.
2474R-14J
API Delevan Inc.
2474R-14K
API Delevan Inc.
2474R-15J
API Delevan Inc.
2474R-15K
API Delevan Inc.
2474R-16J
API Delevan Inc.
2474R-16K
API Delevan Inc.
2474R-17J
API Delevan Inc.
2474R-17K
API Delevan Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel