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codice articolo del costruttore | CTX10-2-52-R |
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Numero di parte futuro | FT-CTX10-2-52-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CTX |
CTX10-2-52-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 4.7A |
Corrente - Saturazione | 4.5A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 18.3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 75°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.500" Dia x 0.307" W (12.70mm x 7.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTX10-2-52-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTX10-2-52-R-FT |
DR125-3R3-R
Eaton - Electronics Division
DR125-221-R
Eaton - Electronics Division
DR125-330-R
Eaton - Electronics Division
DR125-470-R
Eaton - Electronics Division
DR125-820-R
Eaton - Electronics Division
DR125-101-R
Eaton - Electronics Division
DR125-124-R
Eaton - Electronics Division
DR125-180-R
Eaton - Electronics Division
DR125-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DR125-1R5-R
Eaton - Electronics Division
XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel