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codice articolo del costruttore | CTX10-10-52-R |
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Numero di parte futuro | FT-CTX10-10-52-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CTX |
CTX10-10-52-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 16.9A |
Corrente - Saturazione | 20.9A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 5.1 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 75°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.339" Dia x 0.843" W (34.00mm x 21.40mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTX10-10-52-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTX10-10-52-R-FT |
DR125-221-R
Eaton - Electronics Division
DR125-330-R
Eaton - Electronics Division
DR125-470-R
Eaton - Electronics Division
DR125-820-R
Eaton - Electronics Division
DR125-101-R
Eaton - Electronics Division
DR125-124-R
Eaton - Electronics Division
DR125-180-R
Eaton - Electronics Division
DR125-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DR125-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DR125-151-R
Eaton - Electronics Division
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel