casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CTLSH1-50M832DS TR
codice articolo del costruttore | CTLSH1-50M832DS TR |
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Numero di parte futuro | FT-CTLSH1-50M832DS TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CTLSH1-50M832DS TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | TLM832DS |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLSH1-50M832DS TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTLSH1-50M832DS TR-FT |
CLS01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS01,LFJFQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(T6L,CLAR,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel