casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CTLSH1-50M832DS TR
codice articolo del costruttore | CTLSH1-50M832DS TR |
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Numero di parte futuro | FT-CTLSH1-50M832DS TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CTLSH1-50M832DS TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | TLM832DS |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLSH1-50M832DS TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTLSH1-50M832DS TR-FT |
CLS01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS01,LFJFQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(T6L,CLAR,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel