casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CTLSH1-40M621H TR
codice articolo del costruttore | CTLSH1-40M621H TR |
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Numero di parte futuro | FT-CTLSH1-40M621H TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CTLSH1-40M621H TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-XFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | TLM621H |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLSH1-40M621H TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTLSH1-40M621H TR-FT |
CLLRH-06 TR
Central Semiconductor Corp
CLLRH-07 BK
Central Semiconductor Corp
CLS01(T6LSONY,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS01(TE16L,PAS,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS01,LFJFQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(T6L,CLAR,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel