casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CTLDM7003-M621 TR
codice articolo del costruttore | CTLDM7003-M621 TR |
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Numero di parte futuro | FT-CTLDM7003-M621 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CTLDM7003-M621 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 280mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 50mA, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.764nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | 12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 900mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TLM621 |
Pacchetto / caso | 6-PowerVFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLDM7003-M621 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CTLDM7003-M621 TR-FT |
AUXMOS20956STR
Infineon Technologies
AUXS20956S
Infineon Technologies
AUXTLR3110Z
Infineon Technologies
BMS3004-1EX
ON Semiconductor
BSC007N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
BSC010N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
BSC012N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC020N03LSGATMA2
Infineon Technologies
BSC021N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC022N04LS6ATMA1
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel