casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD23280F3T
codice articolo del costruttore | CSD23280F3T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CSD23280F3T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FemtoFET™ |
CSD23280F3T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 116 mOhm @ 400mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 0.95V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.23nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | -6V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 234pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-PICOSTAR |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD23280F3T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD23280F3T-FT |
SSM3J130TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3K123TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J120TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3H137TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J134TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J118TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J108TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J112TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J114TU(T5L,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM3J114TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel