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Texas Instruments CSD19537Q3

Name: CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD19537Q3
Price: 0.40432 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (684 reviews)

Numero parte MFG: CSD19537Q3

quantità disponibile: 70350 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.40432

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fabbricante: Texas Instruments

Breve descrizione: NexFET™ MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: CSD19537Q3.pdf

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CSD19537Q3 specificazioni

codice articolo del costruttore	CSD19537Q3
Numero di parte futuro	FT-CSD19537Q3
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	NexFET™
CSD19537Q3 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 50V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 83W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-VSON (3.3x3.3)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19537Q3 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	CSD19537Q3-FT

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