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Texas Instruments CSD19535KTT

Numero parte MFG
CSD19535KTT
quantità disponibile
45230 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.55816
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Data di spedizione
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fabbricante
Texas Instruments
Breve descrizione
NexFET™ MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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CSD19535KTT specificazioni

codice articolo del costruttore CSD19535KTT
Numero di parte futuro FT-CSD19535KTT
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD19535KTT Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 200A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 7930pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DDPAK/TO-263-3
Pacchetto / caso TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD19535KTT Peso Contattaci
Numero parte di ricambio CSD19535KTT-FT

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