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Texas Instruments CSD17579Q3AT

Name: CSD17579Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD17579Q3AT
Price: 0.32256 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (429 reviews)

Numero parte MFG: CSD17579Q3AT

quantità disponibile: 54100 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.32256

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fabbricante: Texas Instruments

Breve descrizione: NexFET™ MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: CSD17579Q3AT.pdf

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CSD17579Q3AT specificazioni

codice articolo del costruttore	CSD17579Q3AT
Numero di parte futuro	FT-CSD17579Q3AT
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	NexFET™
CSD17579Q3AT Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	998pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.2W (Ta), 29W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-VSONP (3x3.15)
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD17579Q3AT Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	CSD17579Q3AT-FT

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