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Texas Instruments CSD17313Q2Q1T

Numero parte MFG
CSD17313Q2Q1T
quantità disponibile
10730 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.19456
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fabbricante
Texas Instruments
Breve descrizione
NexFET™ MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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CSD17313Q2Q1T specificazioni

codice articolo del costruttore CSD17313Q2Q1T
Numero di parte futuro FT-CSD17313Q2Q1T
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD17313Q2Q1T Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 4.5V
Vgs (massimo) +10V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta), 17W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-WSON (2x2)
Pacchetto / caso 6-WDFN Exposed Pad
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD17313Q2Q1T Peso Contattaci
Numero parte di ricambio CSD17313Q2Q1T-FT

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