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Texas Instruments CSD16327Q3T

Numero parte MFG
CSD16327Q3T
quantità disponibile
46510 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.629536
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fabbricante
Texas Instruments
Breve descrizione
NexFET™ CSD16327Q3T
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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CSD16327Q3T specificazioni

codice articolo del costruttore CSD16327Q3T
Numero di parte futuro FT-CSD16327Q3T
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie NexFET™
CSD16327Q3T Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.4nC @ 4.5V
Vgs (massimo) +10V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 12.5V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 74W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD16327Q3T Peso Contattaci
Numero parte di ricambio CSD16327Q3T-FT

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