casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / CSD13385F5T
codice articolo del costruttore | CSD13385F5T |
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Numero di parte futuro | FT-CSD13385F5T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FemtoFET™ |
CSD13385F5T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 900mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | 8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 674pF @ 6V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 3-PICOSTAR |
Pacchetto / caso | 3-XFDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD13385F5T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CSD13385F5T-FT |
2SK4017(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK4021(Q)
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