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codice articolo del costruttore | CR5211-100 |
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Numero di parte futuro | FT-CR5211-100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CR5200 |
CR5211-100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Per misurare | DC |
Tipo di sensore | Hall Effect, Closed Loop |
Corrente: rilevamento | 100A |
Numero di canali | 1 |
Produzione | Ratiometric, ±10 V |
sensibilità | - |
Frequenza | DC |
Linearità | - |
Precisione | ±1% |
Tensione - Fornitura | 24V |
Tempo di risposta | 250ms |
Corrente - Alimentazione (max) | 40mA |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 50°C |
Polarizzazione | Unidirectional |
Tipo di montaggio | DIN Rail, Panel |
Pacchetto / caso | Module |
- | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CR5211-100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CR5211-100-FT |
CR4211-20
CR Magnetics Inc.
CR4211-200
CR Magnetics Inc.
CR4211-5
CR Magnetics Inc.
CR4211-50
CR Magnetics Inc.
CR4211-70
CR Magnetics Inc.
CR4220-0.5
CR Magnetics Inc.
CR4220-25
CR Magnetics Inc.
CR4220-30
CR Magnetics Inc.
CR4410-0.5
CR Magnetics Inc.
CR4410-100
CR Magnetics Inc.
A1010B-2VQ80C
Microsemi Corporation
XC4005E-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQ100I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-Z2VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8
Intel
EP3C25U256C6N
Intel
10AX115N4F40E3SG
Intel
EP2AGX190FF35I3N
Intel