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codice articolo del costruttore | CPW2-1200-S010B |
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Numero di parte futuro | FT-CPW2-1200-S010B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
CPW2-1200-S010B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 31A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 10A |
Capacità @ Vr, F | 1000F @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CPW2-1200-S010B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CPW2-1200-S010B-FT |
CCR257
Microsemi Corporation
CD0805-B120
Bourns Inc.
CD0805-B140
Bourns Inc.
CD0805-B160
Bourns Inc.
CD1607-B120LF
Bourns Inc.
CD1607-B140LLF
Bourns Inc.
CD214A-FS1100
Bourns Inc.
CD214A-FS1150
Bourns Inc.
CD214A-FS1200
Bourns Inc.
CD214A-FS1400
Bourns Inc.
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel