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codice articolo del costruttore | CPD24-CMR1F-06M-CT |
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Numero di parte futuro | FT-CPD24-CMR1F-06M-CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CPD24-CMR1F-06M-CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 250ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CPD24-CMR1F-06M-CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CPD24-CMR1F-06M-CT-FT |
BYV60W-600PQ
WeEn Semiconductors
BYV95-2-EBT1133TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-200H
ON Semiconductor
BYW76RAS15-10-PH
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW77P-200
STMicroelectronics
CBS10F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CCR257
Microsemi Corporation
CD0805-B120
Bourns Inc.
CD0805-B140
Bourns Inc.
CD0805-B160
Bourns Inc.
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel