casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / CP591X-2N2907A-CT
codice articolo del costruttore | CP591X-2N2907A-CT |
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Numero di parte futuro | FT-CP591X-2N2907A-CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CP591X-2N2907A-CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CP591X-2N2907A-CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CP591X-2N2907A-CT-FT |
2N4895
Central Semiconductor Corp
2N2405
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2N3501
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2N4237
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2N697A
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2N4234
Central Semiconductor Corp
2N5884
Central Semiconductor Corp
2N5885
Central Semiconductor Corp
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
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EP1S20F484I6N
Intel
10AX032E3F27I2LG
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10AX048E4F29I3SG
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5SGXMA3H1F35C2LN
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