casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / CP336V-2N5551-CT
codice articolo del costruttore | CP336V-2N5551-CT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CP336V-2N5551-CT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CP336V-2N5551-CT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CP336V-2N5551-CT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CP336V-2N5551-CT-FT |
2N1480
Central Semiconductor Corp
2N5058
Central Semiconductor Corp
2N4895
Central Semiconductor Corp
2N2405
Central Semiconductor Corp
2N3501
Central Semiconductor Corp
2N4237
Central Semiconductor Corp
2N2218A
Central Semiconductor Corp
2N697A
Central Semiconductor Corp
2N3421
Central Semiconductor Corp
2N4234
Central Semiconductor Corp
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel