casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / CNY17-4M
codice articolo del costruttore | CNY17-4M |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CNY17-4M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CNY17-4M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 160% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 320% @ 10mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 5µs, 5µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor with Base |
Tensione - Uscita (max) | 70V |
Corrente - Uscita / Canale | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.45V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-4M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CNY17-4M-FT |
H11D3SR2M
ON Semiconductor
H11D1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2M
ON Semiconductor
H11AA1SR2M
ON Semiconductor
H11AA1SM
ON Semiconductor
FODM121AR2
ON Semiconductor
FODM121BR2
ON Semiconductor
FODM2701
ON Semiconductor
FODM2705
ON Semiconductor
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL060TS-FCSG325
Microsemi Corporation
A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
EP4CE15M9C7N
Intel
5SGXMA5N2F45I2N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL125V2-FGG144T
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100M
Microsemi Corporation