casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / CNY17-4M
codice articolo del costruttore | CNY17-4M |
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Numero di parte futuro | FT-CNY17-4M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CNY17-4M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 160% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 320% @ 10mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 5µs, 5µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor with Base |
Tensione - Uscita (max) | 70V |
Corrente - Uscita / Canale | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.45V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-4M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CNY17-4M-FT |
H11D3SR2M
ON Semiconductor
H11D1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2M
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H11AA1SR2M
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H11AA1SM
ON Semiconductor
FODM121AR2
ON Semiconductor
FODM121BR2
ON Semiconductor
FODM2701
ON Semiconductor
FODM2705
ON Semiconductor
AGLN020V5-QNG68I
Microsemi Corporation
EPF6016TC144-3N
Intel
A3P600L-1FG484I
Microsemi Corporation
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
5SGXEABN2F45C3N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C5N
Intel
EPF10K40RC240-4
Intel