casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / CMUT5551E TR
codice articolo del costruttore | CMUT5551E TR |
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Numero di parte futuro | FT-CMUT5551E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMUT5551E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 220V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 5V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 300MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMUT5551E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMUT5551E TR-FT |
BDW24B-S
Bourns Inc.
BDW24C-S
Bourns Inc.
BDW53-S
Bourns Inc.
BDW53A-S
Bourns Inc.
BDW53B-S
Bourns Inc.
BDW53C-S
Bourns Inc.
BDW53D-S
Bourns Inc.
BDW54A-S
Bourns Inc.
BDW54B-S
Bourns Inc.
BDW54C-S
Bourns Inc.
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation