casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CMUSH2-4 TR
codice articolo del costruttore | CMUSH2-4 TR |
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Numero di parte futuro | FT-CMUSH2-4 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMUSH2-4 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 25V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMUSH2-4 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMUSH2-4 TR-FT |
CDBQR0130R
Comchip Technology
CDBQR0230L
Comchip Technology
CDBQR0230R
Comchip Technology
CDBQR70
Comchip Technology
CDBQR40
Comchip Technology
CDBQR0140L
Comchip Technology
CDBQR0140R
Comchip Technology
CDBQR0230R-HF
Comchip Technology
CDBQR42
Comchip Technology
CDBQR43
Comchip Technology
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel