casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - RF / CMPTH10 TR
codice articolo del costruttore | CMPTH10 TR |
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Numero di parte futuro | FT-CMPTH10 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMPTH10 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | NPN |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Frequenza - Transizione | 650MHz |
Figura del rumore (dB Typ @ f) | - |
Guadagno | - |
Potenza - Max | 350mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMPTH10 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMPTH10 TR-FT |
42126
Microsemi Corporation
44010
Microsemi Corporation
44022H
Microsemi Corporation
44086H
Microsemi Corporation
45005
Microsemi Corporation
46007T
Microsemi Corporation
46010
Microsemi Corporation
46015
Microsemi Corporation
48042
Microsemi Corporation
58048
Microsemi Corporation
XC4005XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A42MX24-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C55F484C7N
Intel
EP4CE15F17C7N
Intel
10CL010YE144I7G
Intel
5SGXMA4K2F35C1N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I4SGES
Intel