casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CMAD6001 TR
codice articolo del costruttore | CMAD6001 TR |
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Numero di parte futuro | FT-CMAD6001 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CMAD6001 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
Corrente: media rettificata (Io) | 250mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 100mA |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500pA @ 75V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-923 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-923 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMAD6001 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CMAD6001 TR-FT |
1N4004-G
Comchip Technology
1N4007-G
Comchip Technology
A1N4007G-G
Comchip Technology
SB160E-G
Comchip Technology
UF4005-G
Comchip Technology
UF4008-G
Comchip Technology
1N4001-G
Comchip Technology
1N4002-G
Comchip Technology
1N5819-G
Comchip Technology
1N4007T-G
Comchip Technology
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel