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codice articolo del costruttore | CM201212-R82KL |
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Numero di parte futuro | FT-CM201212-R82KL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CM201212 |
CM201212-R82KL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Polymer |
Induttanza | 820nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 125mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 3.35 Ohm Max |
Q @ Freq | 10 @ 25.2MHz |
Frequenza - Autorisonante | 80MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Frequenza di induttanza - Test | 25.2MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.050" W (2.00mm x 1.27mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.058" (1.47mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM201212-R82KL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CM201212-R82KL-FT |
CIL21J3R9KNE
Samsung Electro-Mechanics
CIL21N47NKNE
Samsung Electro-Mechanics
CIL21N47NMNE
Samsung Electro-Mechanics
CIL21N68NKNE
Samsung Electro-Mechanics
CIL21N68NMNE
Samsung Electro-Mechanics
CIL21N82NKNE
Samsung Electro-Mechanics
CIL21N82NMNE
Samsung Electro-Mechanics
CIL21NR10KNE
Samsung Electro-Mechanics
CIL21NR12KNE
Samsung Electro-Mechanics
CIL21NR15KNE
Samsung Electro-Mechanics
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation