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codice articolo del costruttore | CM200DY-12NF |
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Numero di parte futuro | FT-CM200DY-12NF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IGBTMOD™ |
CM200DY-12NF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo IGBT | - |
Configurazione | Half Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 200A |
Potenza - Max | 650W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 200A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 30nF @ 10V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM200DY-12NF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CM200DY-12NF-FT |
VS-GB90DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA200SA60UP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT100DA120UF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT80DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT180DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB55LA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB55NA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT120DA65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT140DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75LA60UF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
XCS30XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896I
Microsemi Corporation
EP2S30F484I4N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5CEFA9F23I7N
Intel
5AGXBB7D4F35C5N
Intel