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codice articolo del costruttore | CK21256R8M-T |
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Numero di parte futuro | FT-CK21256R8M-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CK |
CK21256R8M-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 70mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 520 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 4MHz |
Frequenza - Autorisonante | 29MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 4MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CK21256R8M-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CK21256R8M-T-FT |
LBM2016T3R3JV
Taiyo Yuden
LBM2016T3R9J
Taiyo Yuden
LBM2016T3R9JV
Taiyo Yuden
LBM2016T470J
Taiyo Yuden
LBM2016T470JV
Taiyo Yuden
LBM2016T4R7J
Taiyo Yuden
LBM2016T4R7JV
Taiyo Yuden
LBM2016T560JV
Taiyo Yuden
LBM2016T5R6J
Taiyo Yuden
LBM2016T5R6JV
Taiyo Yuden
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel