casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / CJD200 TR13
codice articolo del costruttore | CJD200 TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-CJD200 TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CJD200 TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 5A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V |
Potenza - Max | 1.4W |
Frequenza - Transizione | 65MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CJD200 TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CJD200 TR13-FT |
2N5306
Central Semiconductor Corp
2N5232A
Central Semiconductor Corp
2N5088
Central Semiconductor Corp
2N3702
Central Semiconductor Corp
PN3565
Central Semiconductor Corp
2N3905
Central Semiconductor Corp
2N3417
Central Semiconductor Corp
2N3708
Central Semiconductor Corp
2N3393
Central Semiconductor Corp
2N5551
Central Semiconductor Corp
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel