casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / CJD127 TR13
codice articolo del costruttore | CJD127 TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-CJD127 TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CJD127 TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 80mA, 8A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 4MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CJD127 TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CJD127 TR13-FT |
PN3565
Central Semiconductor Corp
2N3905
Central Semiconductor Corp
2N3417
Central Semiconductor Corp
2N3708
Central Semiconductor Corp
2N3393
Central Semiconductor Corp
2N5551
Central Semiconductor Corp
PN2369A
Central Semiconductor Corp
2N5308
Central Semiconductor Corp
2N2924
Central Semiconductor Corp
2N4424
Central Semiconductor Corp
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel