casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single / CJD112 TR13
codice articolo del costruttore | CJD112 TR13 |
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Numero di parte futuro | FT-CJD112 TR13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CJD112 TR13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 20µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Potenza - Max | 1.75W |
Frequenza - Transizione | 25MHz |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | DPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CJD112 TR13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CJD112 TR13-FT |
2N3702
Central Semiconductor Corp
PN3565
Central Semiconductor Corp
2N3905
Central Semiconductor Corp
2N3417
Central Semiconductor Corp
2N3708
Central Semiconductor Corp
2N3393
Central Semiconductor Corp
2N5551
Central Semiconductor Corp
PN2369A
Central Semiconductor Corp
2N5308
Central Semiconductor Corp
2N2924
Central Semiconductor Corp
EPF6024ATC144-2N
Intel
XC2VP2-5FG456I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FFG144
Microsemi Corporation
10M50DAF256C8G
Intel
EP4SGX530KH40C3N
Intel
5SGXEA7K3F35I3N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
XC7S6-2CPGA196I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FTQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation