casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CIH03Q1N9SNC
codice articolo del costruttore | CIH03Q1N9SNC |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CIH03Q1N9SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH03Q |
CIH03Q1N9SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1.9nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 330mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | 18 @ 500MHz |
Frequenza - Autorisonante | 10GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 500MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0201 (0603 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0201 (0603 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.013" (0.33mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03Q1N9SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH03Q1N9SNC-FT |
CIGT201210UM1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UM1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR16MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR47SNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21F1R0MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG21F1R5MNC
Samsung Electro-Mechanics
CIG21F2R2MNC
Samsung Electro-Mechanics
XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel