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codice articolo del costruttore | CIH02T9N1HNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH02T9N1HNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH02T |
CIH02T9N1HNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 9.1nH |
Tolleranza | ±3% |
Valutazione attuale | 140mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.8 Ohm Max |
Q @ Freq | 2 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 4GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 01005 (0402 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.009" (0.22mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH02T9N1HNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH02T9N1HNC-FT |
CIH02T1N5BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N5CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N5SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N6BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N7BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N7CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N8BNC
Samsung Electro-Mechanics
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel