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codice articolo del costruttore | CIH02T4N7HNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH02T4N7HNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH02T |
CIH02T4N7HNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 4.7nH |
Tolleranza | ±3% |
Valutazione attuale | 160mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 2 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 01005 (0402 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.009" (0.22mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH02T4N7HNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH02T4N7HNC-FT |
CIH02T15NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T18NHNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N0BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N1BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N1CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N1SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N2BNC
Samsung Electro-Mechanics
A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel