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codice articolo del costruttore | CIH02T4N0SNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH02T4N0SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH02T |
CIH02T4N0SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 4nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 180mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 2 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 01005 (0402 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.009" (0.22mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH02T4N0SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH02T4N0SNC-FT |
CIH02T10NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T12NHNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T12NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T15NHNC
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CIH02T15NJNC
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CIH02T18NHNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T18NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N0BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel