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codice articolo del costruttore | CIH02T3N6BNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH02T3N6BNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH02T |
CIH02T3N6BNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.6nH |
Tolleranza | ±0.1nH |
Valutazione attuale | 180mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 2 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 6GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 01005 (0402 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.009" (0.22mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH02T3N6BNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH02T3N6BNC-FT |
CIH02T0N3CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T0N4BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T0N4CNC
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XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation