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codice articolo del costruttore | CIH02T3N2SNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH02T3N2SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH02T |
CIH02T3N2SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 3.2nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 200mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 2 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 7GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 01005 (0402 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.009" (0.22mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH02T3N2SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH02T3N2SNC-FT |
CIH03T7N5JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T82NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T8N2JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03TR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03U1N5BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03U2N4BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T3N3CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T0N2BNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T0N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH02T0N3BNC
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel