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codice articolo del costruttore | CIH02T2N9SNC |
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Numero di parte futuro | FT-CIH02T2N9SNC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIH02T |
CIH02T2N9SNC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.9nH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | 200mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 800 mOhm Max |
Q @ Freq | 2 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 7GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 01005 (0402 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.009" (0.22mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH02T2N9SNC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIH02T2N9SNC-FT |
CIH03T4N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T4N7CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T56NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T5N6CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T5N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T68NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T6N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T6N2SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T6N8JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH03T7N5JNC
Samsung Electro-Mechanics
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel