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codice articolo del costruttore | CIGT252010LM2R2SNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT252010LM2R2SNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT252010LM2R2SNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±0.3nH |
Valutazione attuale | - |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252010LM2R2SNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT252010LM2R2SNE-FT |
CIG22BR47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22BR56MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
EP1K50FC484-1N
Intel
XC4028XL-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05LV-3AJI
Microchip Technology
10AX066K2F35I2SGES
Intel
10AX090H1F34I1SG
Intel
5AGXBB1D4F35I5N
Intel
EPF10K10QC208-4
Intel