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codice articolo del costruttore | CIGT201610UH2R2MUE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201610UH2R2MUE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610UH2R2MUE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.2A |
Corrente - Saturazione | 2.6A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610UH2R2MUE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201610UH2R2MUE-FT |
CIGT252010LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B4R7MAE
Samsung Electro-Mechanics
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel