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codice articolo del costruttore | CIGT201610LH2R2MNE |
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Numero di parte futuro | FT-CIGT201610LH2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CIGT |
CIGT201610LH2R2MNE Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Thin Film |
Materiale: core | Metal Composite |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.8A |
Corrente - Saturazione | 2.3A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 139 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0806 (2016 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT201610LH2R2MNE Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CIGT201610LH2R2MNE-FT |
CIGT252008LM2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR33MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT252010LMR68MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGW252010GL2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R0MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22B3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
EPF10K50ETI144-2N
Intel
LFXP3E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQG100M
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176I
Xilinx Inc.
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXEA3K2F35C3N
Intel
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
EP3CLS150F780C8N
Intel
EP20K160EQC240-1X
Intel