casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / CI201210-8N2J
codice articolo del costruttore | CI201210-8N2J |
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Numero di parte futuro | FT-CI201210-8N2J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CI201210 |
CI201210-8N2J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 8.2nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 10 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 2.2GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 100°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CI201210-8N2J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CI201210-8N2J-FT |
CM252016-4R7KL
Bourns Inc.
CM252016-560KL
Bourns Inc.
CM252016-56NKL
Bourns Inc.
CM252016-5R6JL
Bourns Inc.
CM252016-5R6KL
Bourns Inc.
CM252016-680KL
Bourns Inc.
CM252016-68NKL
Bourns Inc.
CM252016-6R8KL
Bourns Inc.
CM252016-820KL
Bourns Inc.
CM252016-82NKL
Bourns Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel