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codice articolo del costruttore | CGHV60170D-GP4 |
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Numero di parte futuro | FT-CGHV60170D-GP4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GaN |
CGHV60170D-GP4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | HEMT |
Frequenza | 6GHz |
Guadagno | 17dB |
Tensione - Test | 50V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 260mA |
Potenza - Uscita | 170W |
Tensione: nominale | 150V |
Pacchetto / caso | Die |
Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CGHV60170D-GP4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CGHV60170D-GP4-FT |
MD7P19130HR3
NXP USA Inc.
MD7P19130HR5
NXP USA Inc.
MRF7P20040HR5
NXP USA Inc.
MRF8HP21080HR5
NXP USA Inc.
MRF8HP21130HR3
NXP USA Inc.
MRF8HP21130HR5
NXP USA Inc.
MRF8P20100HR3
NXP USA Inc.
MRF8P20140WHR5
NXP USA Inc.
MRF8P20160HR3
NXP USA Inc.
MRF8P20160HR5
NXP USA Inc.
EP4CE15F23C6
Intel
EP1S10F484C5
Intel
EP4SE360H29I3N
Intel
5AGXBA7D4F27I5N
Intel
XC7K325T-1FF900I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6F23I7N
Intel
10AX115N3F45E2LG
Intel
EP4SGX530HH35I4
Intel