casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / CGHV59350F
codice articolo del costruttore | CGHV59350F |
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Numero di parte futuro | FT-CGHV59350F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GaN |
CGHV59350F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | HEMT |
Frequenza | 5.2GHz ~ 5.9GHz |
Guadagno | 11.2dB |
Tensione - Test | 50V |
Valutazione attuale | 24A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 1A |
Potenza - Uscita | 450W |
Tensione: nominale | 125V |
Pacchetto / caso | 440217 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 440217 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CGHV59350F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CGHV59350F-FT |
MRF8HP21080HR5
NXP USA Inc.
MRF8HP21130HR3
NXP USA Inc.
MRF8HP21130HR5
NXP USA Inc.
MRF8P20100HR3
NXP USA Inc.
MRF8P20140WHR5
NXP USA Inc.
MRF8P20160HR3
NXP USA Inc.
MRF8P20160HR5
NXP USA Inc.
MRF8P20165WHR5
NXP USA Inc.
MRF8P23080HR3
NXP USA Inc.
MRF8P23080HR5
NXP USA Inc.
XC6VLX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C8N
Intel
EP3C120F780C7
Intel