casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / CGHV40200PP
codice articolo del costruttore | CGHV40200PP |
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Numero di parte futuro | FT-CGHV40200PP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CGHV40200PP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | HEMT |
Frequenza | 3GHz |
Guadagno | 20.1dB |
Tensione - Test | - |
Valutazione attuale | 18.7A |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | - |
Potenza - Uscita | 218W |
Tensione: nominale | 125V |
Pacchetto / caso | 440199 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 440199 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CGHV40200PP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CGHV40200PP-FT |
MRF8P20140WHR5
NXP USA Inc.
MRF8P20160HR3
NXP USA Inc.
MRF8P20160HR5
NXP USA Inc.
MRF8P20165WHR5
NXP USA Inc.
MRF8P23080HR3
NXP USA Inc.
MRF8P23080HR5
NXP USA Inc.
MRF8P26080HR3
NXP USA Inc.
MRFE6VP6300HR3
NXP USA Inc.
AFV10700HSR5
NXP USA Inc.
MRFX600HSR5
NXP USA Inc.
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
XC4010XL-2BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4N
Intel
EP3C120F780C7N
Intel
EP4CE40F29I7
Intel
EP1S30F780I6N
Intel