casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / CG2H40010F
codice articolo del costruttore | CG2H40010F |
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Numero di parte futuro | FT-CG2H40010F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | GaN |
CG2H40010F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | HEMT |
Frequenza | 8GHz |
Guadagno | 16.5dB |
Tensione - Test | 28V |
Valutazione attuale | - |
Figura di rumore | - |
Corrente - Test | 100mA |
Potenza - Uscita | - |
Tensione: nominale | 120V |
Pacchetto / caso | 440166 |
Pacchetto dispositivo fornitore | 440166 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CG2H40010F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CG2H40010F-FT |
AFG24S100HR5
NXP USA Inc.
MMRF5014HR5
NXP USA Inc.
MMRF5014H-200MHZ
NXP USA Inc.
MMRF5014H-500MHZ
NXP USA Inc.
AFT05MP075GNR1
NXP USA Inc.
AFT09MP055GNR1
NXP USA Inc.
MRFE6VP5150GNR1
NXP USA Inc.
MRFE6VP5300GNR1
NXP USA Inc.
MRF8P9040GNR1
NXP USA Inc.
MRFE6S8046GNR1
NXP USA Inc.