casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / CE3512K2
codice articolo del costruttore | CE3512K2 |
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Numero di parte futuro | FT-CE3512K2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CE3512K2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | pHEMT FET |
Frequenza | 12GHz |
Guadagno | 13.7dB |
Tensione - Test | 2V |
Valutazione attuale | 15mA |
Figura di rumore | 0.5dB |
Corrente - Test | 10mA |
Potenza - Uscita | 125mW |
Tensione: nominale | 4V |
Pacchetto / caso | 4-Micro-X |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Micro-X |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE3512K2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CE3512K2-FT |
PTFA181001FV4R250FTMA1
Infineon Technologies
PTFA181001FV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA181001HL V1
Infineon Technologies
PTFA181001HL V1 R250
Infineon Technologies
PTFA190451FV4R250XTMA1
Infineon Technologies
PTFA190451FV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA191001F V4
Infineon Technologies
PTFA191001F V4 R250
Infineon Technologies
PTFA192001E1V4R250XTMA1
Infineon Technologies
PTFA192001F V4 R250
Infineon Technologies
XCV100-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4062XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3PE3000-PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA7K3F40C2
Intel
5SGXEBBR3H43I3L
Intel
5SGXMA4H2F35I2N
Intel
LCMXO2-4000ZE-3BG256I
Lattice Semiconductor Corporation