casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - RF / CE3512K2
codice articolo del costruttore | CE3512K2 |
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Numero di parte futuro | FT-CE3512K2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CE3512K2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | pHEMT FET |
Frequenza | 12GHz |
Guadagno | 13.7dB |
Tensione - Test | 2V |
Valutazione attuale | 15mA |
Figura di rumore | 0.5dB |
Corrente - Test | 10mA |
Potenza - Uscita | 125mW |
Tensione: nominale | 4V |
Pacchetto / caso | 4-Micro-X |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-Micro-X |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE3512K2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CE3512K2-FT |
PTFA181001FV4R250FTMA1
Infineon Technologies
PTFA181001FV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA181001HL V1
Infineon Technologies
PTFA181001HL V1 R250
Infineon Technologies
PTFA190451FV4R250XTMA1
Infineon Technologies
PTFA190451FV4XWSA1
Infineon Technologies
PTFA191001F V4
Infineon Technologies
PTFA191001F V4 R250
Infineon Technologies
PTFA192001E1V4R250XTMA1
Infineon Technologies
PTFA192001F V4 R250
Infineon Technologies
M2GL060-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
A40MX04-1PL84
Microsemi Corporation
LFXP20E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-1MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F1508C4
Intel
EP3C80F780C6N
Intel