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codice articolo del costruttore | CE201210-R15J |
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Numero di parte futuro | FT-CE201210-R15J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CE201210 |
CE201210-R15J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 150nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 22 @ 50MHz |
Frequenza - Autorisonante | 500MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.03mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE201210-R15J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CE201210-R15J-FT |
CI100505-7N5J
Bourns Inc.
CF453215-100K
Bourns Inc.
CF453215-120K
Bourns Inc.
CF453215-150K
Bourns Inc.
CF453215-180K
Bourns Inc.
CF453215-1R0K
Bourns Inc.
CF453215-1R2K
Bourns Inc.
CF453215-1R5K
Bourns Inc.
CF453215-1R8K
Bourns Inc.
CF453215-220K
Bourns Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation