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codice articolo del costruttore | CE201210-R12J |
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Numero di parte futuro | FT-CE201210-R12J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CE201210 |
CE201210-R12J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 120nH |
Tolleranza | ±5% |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 950 mOhm Max |
Q @ Freq | 22 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 500MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 50MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.03mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE201210-R12J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CE201210-R12J-FT |
CI160808-2N2D
Bourns Inc.
CI160808-2N7D
Bourns Inc.
CI160808-3N9D
Bourns Inc.
CI160808-56NJ
Bourns Inc.
CI160808-5N6D
Bourns Inc.
CI160808-68NJ
Bourns Inc.
CI160808-R18J
Bourns Inc.
CI160808-5N6DC
Bourns Inc.
CI160808-R27J
Bourns Inc.
CI100505-R10J
Bourns Inc.
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel